檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "Hong-Tsu Young".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="陳炤彰"
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中文摘要 本研究針對非軸對稱光學曲面，發展一套簡易的CAM系統，建構的自動平滑化加工製程，進行平滑化製程對於形狀誤差與表面形貌的探討。首先在CAD環境，依非球面公式所繪製的曲線，利用邊界混合的指令…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大，但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質，造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
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本研究主要在建構用於化學機械平坦化拋光之拋光墊表面形貌分析，自行研發設計一款雷射共軛焦三維表面形貌掃描儀，並開發對拋光墊形貌分析之專用程式。主要方法為將雷射共軛焦儀架設於龍門線性馬達平台，回授平台X…
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隨著半導體產業發展，三維堆疊積體電路(3DS-IC)是一項突破莫爾定律的關鍵技術，由矽導微孔(Through-Silicon-Via, TSV)晶圓可作為中介層(Interposer)進行異質元件間…
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三維堆疊積體電路(3DS-IC)被認為是一項突破摩爾定律關鍵技術，由矽導孔晶圓(TSV)及玻璃導孔晶圓(TGV)作為中介層(Interposer)材料進行三維異質元件堆疊，TGV所需使用的無鹼玻璃基…
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薄膜因具有結構微型化及與傳統塊材相異且特殊的物理及化學性質，因而被廣泛地應用於半導體、光機電工程等領域上，但是，薄膜材料當中的殘留應力會顯著的影響其材料性能，而在薄膜生長的製程及晶圓製造中針對表面加…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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本研究旨在研發電化學輔助固定式磨料研光製程(Electrochemical Assisted-Fixed Abrasive Lapping, ECA-FA Lapping)並應用於單晶矽晶圓之研光製…
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由鉑銥合金製成之國際公斤原器(International Prototype of the Kilogram, IPK)，其質量會隨著時間的推移而產生些微的變化，以單晶矽晶球作為換算同位素矽晶體中的…
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在半導體積體電路製程中，局部拋光液膜中奈米粒子磨粒之動能在化學機械拋光過程中扮演重要角色。本研究使用電致動力技術 (Electro-Kinetic Force, EKF)配合高精密拋光機，利用電雙層…